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高带宽存储器HBM：英伟达推出首款提供HBM3e内存的GPU
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1、板块介绍
HBM是当前GPU存储单元理想解决方案，AI发展驱动HBM放量。HBM（高带宽存储器，HighBandwidthMemory）是由AMD和SKHynix发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。AI大模型的数据计算量激增，需要应用并行处理数据的GPU作为核心处理器，而“内存墙”的存在限制了GPU数据处理能力，HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，可以为GPU提供更快的并行数据处理速度，打破“内存墙”对算力提升的桎梏，被视为GPU存储单元理想解决方案，将在AI发展中持续收益。
GPU的主流存储方案有 GDDR 和 HBM 两种。但图形芯片性能的日益增长，使其对高带宽的需求也不断增加。随着芯片制程及技术工艺达到极限，GDDR 满足高带宽需求的能力开始减弱，且单位时间传输带宽功耗也显著增加，预计将逐步成为阻碍图形芯片性能的重要因素。通过 TSV 堆栈的方式，HBM 能达到更高的 I/O 数量，使得显存位宽达到1024位，几乎是GDDR 的32x，HBM 具有显存带宽显著提升，此外还具有更低功耗、更小外形等优势。显存带宽显著提升解决了过去 AI 计算“内存墙”的问题，HBM 逐步提高在中高端数据中心 GPU 中的渗透比率。
TSV技术是HBM的核心技术之一，中微公司是TSV设备主要供应商。硅通孔技术（TSV）为连接硅晶圆两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构，可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，是实现2.5D、3D先进封装的关键技术之一，主要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。中微公司在2010年就推出了首台TSV深孔硅刻蚀设备PrimoTSV®，提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞，并具有工艺协调性。
ALD沉积在HBM工艺中不可或缺，雅克科技是ALD前驱体核心供应商，拓荆科技是ALD设备核心供应商。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在HBM中先进DRAM加工工艺和TSV加工工艺中是必不可少的工艺环节。雅克科技是国内ALD沉积主要材料前驱体供应商，公司前驱体产品供应HBM核心厂商SK海力士，High-K、硅金属前驱体产品覆盖先进1bDRAM、200层以上3DNAND以及3nm先进逻辑电路等。拓荆科技是国内ALD设备的主要供应商之一，公司PEALD产品用于沉积SiO2、SiN等介质薄膜，在客户端验证顺利；Thermal-ALD产品已完成研发，主要用于沉积Al2O3等金属化合物薄膜。HBM主要应用2.5D+3D先进集成，IC载板是转接板核心材料。
HBM借助TSV技术实现2.5D+3D先进集成，而IC载板是集成电路先进封装环节的关键载体，建立IC芯片与PCB板之间的讯号连接。在目前应用较广的2.5D+3D的先进封装集成电路中，都采用IC载板作为承载芯片的转接板，如AMD2015年推出RadeonR9FuryXGPU中使用了64nm的TSVIC载板作为转接板，NVIDIA的Pascal100GPU基于台积电16nm工艺技术，连接在台积电64nmCoWoS-2转接板上，然后封装在PCB板上完成搭建。
2022年11月，Chatgpt发布，随后生成式人工智能实现了爆发式发展，国内外大厂争相竞逐AI大模型，大模型训练的过程数据吞吐量很大，HBM通过增加带宽和减少功耗有效解决了“内存墙”和“功耗墙”问题，
是目前唯一满足AI高性能计算要求的量产存储方案，因而HBM成为了AI训练芯片的标配。SK海力士公司预测，在2027年之前，HBM市场将以82%的复合增长率保持增长。
2024-12-06 11:17
高带宽存储器HBM ：媒体称国内企业已有准备，HBM国产化再迎契机，封测厂、设备等将受益
国产化紧迫性加剧，国内相关厂商国产化进度或将进一步提速，板块或将迎来戴维斯双击。
2024-12-06 10:50
中企如何应对美新增管制HBM？专家表示相关企业已有心理准备和预案
分析认为，中国会加速HBM的国产化，智研咨询近期发布的一份报告称，国内已有部分企业通过自主研发、收购等方式布局产业链上游核心环节，并取得了实质性突破，包括此次被列入“实体清单”的两家半导体设备企业。
2024-12-03 09:37
HBM概念股盘初拉升，宏昌电子涨停，亚威股份、天马新材、华海诚科、联瑞新材等跟涨
2024-12-01 22:59
华为发布芯片技术专利，或将引领HBM发展趋势
混合键合可以实现高性能、高密度和高可靠性的封装连接。今日重要性：✨
2024-11-12 22:52
三星计划新建封装厂扩容HBM内存产能，产业链公司望受关注
HBM需求强劲也让封装、材料、设备等环节随之受益。 今日重要性：✨
2024-11-04 22:46
存储芯片巨头推高容量新品，HBM市场需求显著增长
英伟达要求该公司下一代高带宽内存芯片HBM4的供货时间提前六个月。今日重要性：✨
2024-11-04 13:59
HBM：老黄急了？下场催HBM提前六个月供货，对封装、散热等需求继续增加
预计第六代HBM技术（HBM4）将采用2048个并发通道的解决方案
2024-11-04 12:56
HBM4芯片提早问世？SK海力士董事长：英伟达要求我们提前6个月供货
SK海力士透露下代产品的进展，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，12层HBM3E芯片已于9月开始量产，同时它计划在2028年至2030年间推出HBM5芯片。
2024-10-30 22:42
三大内存厂商HBM5全面应用混合键合工艺，有望成为未来主流堆叠技术
通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求。今日重要性：✨
2024-10-17 21:21
HBM明年过剩？DRAM下行周期到哪了？高盛详解芯片核心议题
高盛认为，HBM明年将供不应求，特别是SK海力士凭借其在AI内存市场中的领先地位，2025年之前供需仍将保持紧张；而DRAM有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。
2024-09-26 09:14
HBM：AI关键配套迎来爆发，海外巨头盘后大涨超14%，国产化空间也广阔
预计该市场规模从2023年的约40亿美元增至2025年的250多亿美元。
2024-09-18 13:09
下调海力士评级、预测行业见顶、忧虑HBM供应过剩--大摩高喊“内存凛冬将至”
摩根士丹利近日发布多份研报，警告内存行业或直面供应过剩，行业拐点已现。在此基础上大摩“腰斩”海力士目标价，从26万韩元下调至12万韩元。
2024-08-23 14:39
HBM：HBM技术研发再度提速，英伟达等多巨头联手布局下一代产品，未来需求仍将大幅增长
HBM相比其他DRAM产品的平均单位售价高出数倍。
2024-08-20 09:04
HBM：SK海力士宣布存储大动作，将开发性能超HBM几十倍内存产品，DDR5也被曝三季度大幅调涨
全球三大存储厂SK海力士、三星、美光都在积极抢占HBM市场份额。
2024-08-13 13:36
SK海力士DDR5提价15%-20%
HBM产能供应吃紧，AI服务器正在加单。
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